位敏探测器

☆产品介绍

利用半导体的“横向效应”，达到器件对目标物体位置的探测。具有低暗电流、高响应度、高均匀性、较好的输出线性等特点，其光谱响应范围为400nm~1100nm，在波长900nm处的响应度可达0.60A/W。

☆产品应用

主要用于工业控制、光斑校准、位移探测、角度探测、震动测量、平整度测量、跟踪定位、机器人等。

☆技术指标

型号

维数

光敏尺寸

(mm)

光谱范围

(nm)

响应度

(A/W)

暗电流

(nA)

击穿电压（V）

结电容

(pF)

pSDⅠ-040

一维

2×20

400~1100

0.55@900nm

200@5V

200

50@40V,1MHz

pSDⅠ-122

一维

3.5×35

400~1100

0.55@900nm

300@5V

200

100@40V,1MHz

pSDⅡ-016

二维

4×4

400~1100

0.55@900nm

50@5V

200

50@40V,1MHz

pSDⅡ-049

二维

7×7

400~1100

0.55@900nm

200@5V

200

100@40V,1MHz

pSDⅡ-196

二维

14×14

400~1100

0.55@900nm

300@5V

200

150@40V,1MHz

pSDⅡ-441

二维

21×21

400~1100

0.55@900nm

500@5V

200

200@40V,1MHz

备注

1. pSDX-XXX：X代表维数，XXX代表光敏面积；

2.所列二维探测器为枕型结构。可根据用户需求对不同光敏面形状和尺寸进行研制生产。