InGaAs pIN/ApD pD

封装结构：TO46/TO5应用于CATV模拟接收机、光功率计、监控和测量仪器

产品名称主要指标55um TO46 pD主要参数测试条件值暗电流VR=-5V≤0.5nA响应度VR=-5V,λ=1310nm≥0.85A/W75um Mini TO-CAN pD主要参数测试条件值暗电流VR=-5V≤0.6nA响应度λ=1310nm,pin=-30dBm≥0.85A/W-3dBm带宽RL=50Ω≥3.0GHz75um TO46 pD（3.5mm管帽）主要参数测试条件值暗电流VR=-5V≤0.6nA响应度VR=-5V,λ=1310nm≥0.85A/W75um InGaAs pIN pD （2.64mm管帽）主要参数测试条件值暗电流VR=-5V≤0.6nA响应度VR=-5V,λ=1310nm≥0.90A/W平行光用75um TO46 pD主要参数测试条件值暗电流VR=-5V≤0.6nA响应度VR=-5V,λ=1310nm≥0.85A/W210um TO46 pD主要参数测试条件值暗电流VR=-5V≤1nA响应度VR=-5V,λ=1310nm≥0.85A/W300um Mini TO-CAN pD主要参数测试条件值暗电流VR=-5V≤1nA响应度λ=1310nm,pin=-30dBm≥0.85A/W-3dBm带宽RL=50Ω≥1.5GHz300um TO46 pD主要参数测试条件值暗电流VR=-5V≤1nA响应度VR=-5V,λ=1310nm≥0.85A/W平行光用300um TO46 pD主要参数测试条件值暗电流VR=-5V≤1nA响应度VR=-5V,λ=1310nm≥0.85A/W500um TO46 pD主要参数测试条件值暗电流VR=-5V≤2nA响应度VR=-5V,λ=1310nm≥0.85A/W1000um TO46 pD主要参数测试条件值暗电流VR=-5V≤5nA响应度VR=-5V,λ=1310nm≥0.85A/W2000um TO5 pD主要参数测试条件值暗电流VR=-5V≤8nA响应度VR=-5V,λ=1310nm≥0.85A/W3×4mm TO5 pD主要参数测试条件值暗电流VR=-5V≤15nA响应度VR=-5V,λ=1310nm≥0.85A/W50um TO46 ApD主要参数测试条件值暗电流VR=VBR-3,φe=0≤10nA响应度M=1,λ=1310nm≥0.85A/W反向击穿电压ID=10uA,φe=040~45V110um TO46 ApD主要参数测试条件值暗电流VR=VBR-3,φe=0≤15nA响应度M=1,λ=1310nm≥0.85A/W反向击穿电压ID=100uA,φe=040~50V